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由表面层和基层组成的半导电辊；该表面层具有较高的电阻值，由橡胶组合物制成；基层具有较低的电阻值，由导电橡胶组合物组成。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。有必要使这两种层的厚度高度准确。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。背靶的选择对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右导电性好：常用无氧铜，无氧铜的导热性比紫铜好。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为0。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al、Cu和Ag等已经被广泛的应用和研究。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。
稀土矿冶炼方法有两种，即湿法冶金和火法冶金。
湿法冶金属化工冶金方式，全流程大多处于溶液、溶剂之中，如稀土精矿的分解、稀土氧化物、稀土化合物、单一稀土金属的分离和提取过程就是采用沉淀、结晶、氧化还原、溶剂萃取、离子交换等化学分离工艺过程。现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。随着黄金资源的开采紧张，民用、科技、军事、航天等用黄金量的增加，促使黄金价格节节上涨。湿法冶金流程复杂，产品纯度高，该法生产成品应用面广阔。
